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2025
article
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D. Waters, Gergely Ferenczi, Ben Hourahine, Grzegorz Cios et autres
We present the application of electron backscatter diffraction (EBSD) as a technique for characterizing wurtzite (wz) and zincblende (zb) polytypes of GaN grown upon micropatterned Si (001) substrates. The Si substrate is etched to create parallel V-shaped grooves with opposing {111} facets …
gb, pl, us
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2024
book-chapter
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Christian M. Wetzel, Tetsuya Takeuchi, Hidetoshi Amano, I. Akasaki
As evidenced by the recent development of the wide band gap group-III nitrides as fully functional semiconductors, group-III nitride semiconductors come with a set of rather unusual properties that render them most advantageous performance in a very wide range of applications. Key …
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2022
report
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Yale Univ., New Haven, CT (United States), Jung Han, Lincoln Lauhon, Rachel Goldman et autres
Gallium Nitride (GaN) has a great potential in high-power and high-frequency applications due to its wide energy gap and good transport property. So far all commercial GaN optoelectronic and electronic devices have planar junctions and heterostructures prepared by epitaxial growth. To take …
us
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2022
article
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Przemysław Jóźwik, José P. S. Cardoso, Diogo F. Carvalho, M. R. Correia et autres
-lattice parameter. XRD revealed the presence of strain even in low fluence samples where only a small fraction of the sample volume suffered direct SHI impacts. Micro-Raman suggests that for low defect concentrations, it is dominantly biaxial, while for high defect concentrations, …
pt, pl, de, fr, us
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2021
article
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Sandra A. Wiebe, Andreas Sexauer, Christian M. Wetzel, Jennifer Heck
Martin Doppelbauer vom Elektrotechnischen Institut des KIT erklärt, was nachhaltige Mobilität bedeutet und welchen Herausforderungen die Forschenden dabei begegnen. Der Experte spricht außerdem über mögliche Wege hin zu einer nachhaltigen Mobilität und die Forschung am KIT. Das Video ist Teil des Online-Dossiers …
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2021
article
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José P. S. Cardoso, Nebiha Ben Sedrine, Przemysław Jóźwik, Margaret Sequeira et autres
Xe SHI irradiation of InGaN/GaN MQWs leads to surface damage and intermixing at the interfaces. The introduced defects cause a strong quenching of the luminescence as well as a change in the excitation mechanisms.
es, pt, us, ru, fr
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2020
article
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Hideyuki Itakura, Toshihumi Nomura, Naoki Arita, Narihito Okada et autres
The impact of an InGaN/GaN superlattice (SL) on AlGaN/GaN high electron mobility transistor characteristics was investigated, and two effects were discovered: one is a substantial improvement in the conduction characteristics as a result of the InGaN/GaN channel layer, while the other is …
us, jp
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2020
article
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Sandra A. Wiebe, Christian M. Wetzel
In der Forschungsinitiative „reFuels – Kraftstoffe neu denken“ befassen sich verschiedene Institute des KIT gemeinsam mit dem Land Baden-Württemberg und zahlreichen Partnern aus der Automobil-, Automobilzuliefer- und Mineralölindustrie mit der effizienten Herstellung und Nutzung von regenerativen Kraftstoffen. Ziel ist, dass alle Fahrzeuge …
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2020
article
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Christian M. Wetzel, Sandra A. Wiebe
In der Forschungsinitiative „reFuels – Kraftstoffe neu denken“ befassen sich verschiedene Institute des KIT gemeinsam mit dem Land Baden-Württemberg und zahlreichen Partnern aus der Automobil-, Automobilzuliefer- und Mineralölindustrie mit der effizienten Herstellung und Nutzung von regenerativen Kraftstoffen. Ziel ist, dass alle Fahrzeuge …
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2020
article
OpenAlex
Sandra A. Wiebe, Christian M. Wetzel
In der Forschungsinitiative „reFuels – Kraftstoffe neu denken“ befassen sich verschiedene Institute des KIT gemeinsam mit dem Land Baden-Württemberg und zahlreichen Partnern aus der Automobil-, Automobilzuliefer- und Mineralölindustrie mit der effizienten Herstellung und Nutzung von regenerativen Kraftstoffen. Ziel ist, dass alle Fahrzeuge …
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2020
article
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Anna Baumgartner, Christian M. Wetzel
Das Karlsruher Institut für Technologie (KIT) vergibt jährlich Fakultätslehrpreise an Lehrende, die sich im vorausgegangenen Jahr durch besonderes Engagement auszeichneten und innovative Lehrkonzepte einsetzten. Preisträger: Dr. Matthias Schröder
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2020
article
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Anna Baumgartner, Christian M. Wetzel
Das Karlsruher Institut für Technologie (KIT) vergibt jährlich Fakultätslehrpreise an Lehrende, die sich im vorausgegangenen Jahr durch besonderes Engagement auszeichneten und innovative Lehrkonzepte einsetzten. Preisträger: Professor Dr. Roland Griesmaier, Annalena Albicker, Dr. Tilo Arens, Dr. Elena Cramer, Dr. Felix Hagemann, Dr. Frank …