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2022 article

Damage in InGaN/GaN bilayers upon Xe and Pb swift heavy ion irradiation

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Rattachement africain : pt, pl, de, fr, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

-lattice parameter. XRD revealed the presence of strain even in low fluence samples where only a small fraction of the sample volume suffered direct SHI impacts. Micro-Raman suggests that for low defect concentrations, it is dominantly biaxial, while for high defect concentrations, the simultaneous increase of hydrostatic and biaxial occurs. As a driving force of the lattice expansion, we point out the Poisson effect resulting from the pressure exerted by the SHI tracks on the surrounding undamaged crystal structure.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Damage in InGaN/GaN bilayers upon Xe and Pb swift heavy ion irradiation
Date Crossref
01/01/2022
Éditeur
Royal Society of Chemistry (RSC)
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • University of Lisbon pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • National Centre for Nuclear Research pays non établi dans la notice
    Organisme public
  • Instituto de Plasmas e Fusão Nuclear pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Instituto Superior Tecnico Campus Tecnológico e Nuclear pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • University of Aveiro pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • International Iberian Nanotechnology Laboratory pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Instituto de Engenharia de Sistemas e Computadores Microsistemas e Nanotecnologias pays non établi dans la notice
    Organisation à but non lucratif
  • Centre de Recherche sur les Ions pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Rensselaer Polytechnic Institute Department of Materials Science and Engineering & Department of Physics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Universidade de Lisboa Instituto de Plasmas e Fusão Nuclear pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Universidade de Aveiro Departamento de Física & i3N pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

University of Lisbon, National Centre for Nuclear Research et Instituto de Plasmas e Fusão Nuclear, avec 9 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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