Regrowth and Selective Area Growth of GaN for Vertical Power Electronics
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Gallium Nitride (GaN) has a great potential in high-power and high-frequency applications due to its wide energy gap and good transport property. So far all commercial GaN optoelectronic and electronic devices have planar junctions and heterostructures prepared by epitaxial growth. To take the advantage of the merits of GaN material properties, more sophisticated device configurations such as current-aperture vertical electron transistors (CAVETs), junction field-effect transistors (JFETs), and super-junction (SJ) devices require the ability to form in-plane, lateral junctions by selective area doping (SAD). In this project, we explored a novel approach of realizing SAD through selective-area etching (SAE) followed by selective-area growth (SAG).
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Regrowth and Selective Area Growth of GaN for Vertical Power Electronics
- Date Crossref
- 20/10/2022
- Éditeur
- Office of Scientific and Technical Information (OSTI)
- Type
- report
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Yale University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Northwestern University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
University of Michigan pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Rensselaer Polytechnic Institute pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Yale Univ. pays non établi dans la noticeInstitution
-
Northwestern Univ. pays non établi dans la noticeInstitution
-
Univ. of Michigan pays non établi dans la noticeInstitution
-
RPI pays non établi dans la noticeInstitution
-
Rensselaer Polytechnic Inst. pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Yale University, Northwestern University et University of Michigan, avec 6 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.