System-Technology Co-Evaluation of A7 CFET and A10 NSFET Technologies from Cell Parasitics to Chip Reliability
Mahdi Benkhelifa, Leon Mayr, Hadi Nour Eddine, Andrea Padovani et autres
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arXiv (Cornell University)
Luca Larcher
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System-Technology Co-Evaluation of A7 CFET and A10 NSFET Technologies from Cell Parasitics to Chip Reliability
Mahdi Benkhelifa, Leon Mayr, Hadi Nour Eddine, Andrea Padovani et autres
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arXiv (Cornell University)
High‐Mobility and Reliability Ultra‐Thin‐Channel Oxide Semiconductor Field‐Effect Transistors for Chip‐Interconnect‐Embedded Logic and Ferroelectric Memory
Chun-Kuei Chen, Sonu Hooda, Maheswari Sivan, Quanzhen Wan et autres
sg, es, us (code pays fourni par la source)
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Advanced Materials
A Tunable Capacitance ReRAM for Improvement of Dynamic Range in CMOS Image Sensors
S. Chourasia, S. Pande, Andrea Padovani, Luca Larcher et autres
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IEEE Electron Device Letters
Pushing the limits of NAND technology scaling with ferroelectrics
Prasanna Venkatesan Ravindran, Lance Fernandes, Sanghyun Kang, Priyankka Gundlapudi Ravikumar et autres
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MRS Bulletin
BEOL Interconnects for 2nm Technology Node and Beyond
Gaurav Thareja, Albi Mema, Guangzhi Qu, Nicola Giuliani et autres
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Simulation of Ge-rich PCM Device Material Evolution from Post-Deposition Anneal to Programming Operations
Enrico Piccinini, Nicola Giuliani, M. Baldo, Elisa Petroni et autres
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A Novel D2 Plasma Treatment for Defect Passivation: From Modeling to Process Optimization
Sara Vecchi, V. Bhosle, Andrea Palmieri, Davide Cornigli et autres
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Impact of Al-based Dipole Formation on Gate Stack Integrity and Reliability
Bruno Coppolelli, Davide Cornigli, Zhenyuan Chen, Andrea Padovani et autres
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Multi-Scale Modeling-Driven Material to Device Co-Optimization of Ferroelectric Capacitors with Oxygen Reservoir Layer (ORL) for Improved Endurance
Andrea Padovani, Nashrah Afroze, Yu-Hsin Kuo, Priyankka Gundlapudi Ravikumar et autres
it, us, kr, de (code pays fourni par la source)
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Enhanced Memory Performance in Ferroelectric NAND Applications: The Role of Tunnel Dielectric Position for Robust 10-Year Retention
Prasanna Venkatesan Ravindran, Andrea Padovani, Lance Fernandes, Priyankka Gundlapudi Ravikumar et autres
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Understanding Correlation Between Memory Window Closure, Leakage and Read Delay Effects for FEFET Reliability Improvement: Role of IL and FE Traps
Priyankka Gundlapudi Ravikumar, Andrea Padovani, Prasanna Venkatesan, Chinsung Park et autres
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