A Tunable Capacitance ReRAM for Improvement of Dynamic Range in CMOS Image Sensors
Rattachement africain : in, it, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
work reports a tunable-capacitance resistive memory (TCReRAM) device. The TCReRAM uses a binary metal-oxide active-layer and exhibits strong voltage-dependent capacitance (VDC) under appropriate operating conditions. The observed VDC dynamics is characterized experimentally, and its physical origin is investigated through comprehensive multiscale simulations. The developed TCReRAM device, integrated at the floating diffusion node of a CMOS image sensor (CIS) pixel, introduces VDC that helps mitigate saturation under high illumination conditions. Pixel-level simulations further demonstrate that incorporating the TCReRAM significantly improves the dynamic range by nearly 25% compared to the existing reported Hybrid CIS, effectively addressing performance limitations across varying illumination levels.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A Tunable Capacitance ReRAM for Improvement of Dynamic Range in CMOS Image Sensors
- Date Crossref
- 01/03/2026
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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