2025 conference-paper

BEOL Interconnects for 2nm Technology Node and Beyond

Gaurav Thareja, Albi Mema, Guangzhi Qu, Nicola Giuliani, Davide Cornigli, Takahisa Tanaka, Enrico Piccinini, Xingye Wang, Andrea Palmieri, Swetha Barkam, Monika Jamieson, Bo Xie, Shi You, Shashank Sharma, Yanping Wu, Max Gage, Zhiyuan Wu, Roey Shaviv, F. Nardi, Michael Haverty, Mathew Spuller, Ben Ng, Norman Tam, Alexander Jansen, Andy Y. H. Lo, Zhebo Chen, Francis Kanyiri Mungai, Sameer Deshpande, Ren He, Jianshe Tang, Mehul Naik, Sree Kesapragada, Chi-I Lang, Shankar Muthukrishnan, Brian J. Brown, Munehiro Tada, Jaehyun Lee, Li Qun Xia, Maarten Berkens, Luca Larcher, Keyvan Kashefizadeh, Xianmin Tang

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3Institutions déclarées
3Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us, de, jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

We present novel back-end-of-line (BEOL) copper interconnect integration for advanced technology nodes using low-k dielectric dep, binary liner metal gapfill process, radical assisted annealing, chemical mechanical planarization (CMP) and selective metal cap. Unit process and metrology data, electrical tests, Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) reliability, Electromigration (EM) reliability and circuit simulations confirm significant power-performance-area (PPA) gains for 2nm technology node and beyond.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
BEOL Interconnects for 2nm Technology Node and Beyond
Date Crossref
08/06/2025
Éditeur
IEEE
Type
proceedings-article

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Les institutions déclarées

Applied Materials (United States)Technical University of MunichKeio University

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Les sujets associés

Semiconductor materials and devices3D IC and TSV technologiesSemiconductor materials and interfaces
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