Backside Power Distribution for Nanosheet Technologies Beyond 2nm
Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This paper examines various approaches for integrating backside power distribution network (BSPDN) with nanosheet transistor technologies. Deep Trench Via (DTV) based BSPDN schemes, except for Shifted Frontside Via Backside Power rail (SFVBP), do not offer cell level scaling benefits, but via resistance of SFVBP could remain a bottleneck. Direct Backside Contact (DBC) based schemes offer best cell level scaling. A novel self-aligned backside contact (SABC) scheme integrated with nanosheet transistors is demonstrated with immunity to misalignments in backside contact formation. The structure exhibits good device characteristics and satisfactory reliability.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Backside Power Distribution for Nanosheet Technologies Beyond 2nm
- Date Crossref
- 16/06/2024
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.