Tailoring Subthreshold Swing in A‐IGZO Thin‐Film Transistors for Amoled Displays: Impact of Conversion Mechanism on Peald Deposition Sequences (Small Methods 8/2024)
Rattachement africain : kr, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Inside Front Cover In article number 2301185, Shong, Jeong, and co-workers explore controlling the gate swing in amorphous IGZO thin-film transistors using a plasma-enhanced atomic layer deposition. The conversion mechanism in the deposition sequence of In-Zn-Ga allows the controllable gate swing value. The observed behavior is attributed to different surface reactivity. It can be applied into organic light-emitting diode tablets and notebooks.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Tailoring Subthreshold Swing in A‐IGZO Thin‐Film Transistors for Amoled Displays: Impact of Conversion Mechanism on Peald Deposition Sequences (Small Methods 8/2024)
- Date Crossref
- 01/08/2024
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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