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Shuangshuang Zhang

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GaN-based semiconductor devices and materialsSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesSemiconductor Quantum Structures and DevicesAdvanced Power Amplifier Design

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2026 erratum

Corrigendum: “Single-field-plate GaN HEMTs achieving >2400 V breakdown voltage and 106% dynamic on-resistance at 600 V stress” (2026 Jpn. J. Appl. Phys. 65 066501)

Zhichao Yang, Eason Liao, Jungang Zhuang, Dong Hao et autres

0 citationsJapanese Journal of Applied Physics

Accès ouvert 2026 article

Single-field-plate GaN HEMTs achieving >2200 V breakdown voltage and 106% dynamic on-resistance at 600 V stress

Zhichao Yang, Eason Liao, Jungang Zhuang, Hao Dong et autres

0 citationsJapanese Journal of Applied Physics

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