Corrigendum: “Single-field-plate GaN HEMTs achieving >2400 V breakdown voltage and 106% dynamic on-resistance at 600 V stress” (2026 Jpn. J. Appl. Phys. 65 066501)
Zhichao Yang, Eason Liao, Jungang Zhuang, Dong Hao et autres
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Zhichao Yang, Eason Liao, Jungang Zhuang, Dong Hao et autres
Zhichao Yang, Eason Liao, Daniel Ding, Jungang Zhuang et autres
Zhichao Yang, Eason Liao, Jungang Zhuang, Hao Dong et autres
Eason Liao, Xiaoxiao Wang, Qing ZHANG, Jiancheng Wang et autres
Zhichao Yang, Eason Liao, Dong Hao, Bingliang Zhang et autres
Eason Liao, xiaoxiao wang, Muhammad Furqan, Muhammad Shafa et autres
Eason Liao, Xiaoxiao Wang, Guangjin Wang, Muhammad Shafa
Eason Liao, xiaoxiao wang, Muhammad Shafa, Guangjin Wang et autres
Zhonghai Yang, Yq Wang, Jian Zhuang, Eason Liao
Eason Liao, Xiaoxiao Wang, Qing Zhang, Shuzhong Li et autres
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