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Stefan U. Schwarz, G. Bollen, S. Chouhan, J.J. Das et autres
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Dan Ponce, R.W. Callis, W.P. Cary, J. R. Ferron et autres
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D. M. Tennant, Gregory L. Timp, Leonidas E. Ocola, M. Green et autres
We report on progress toward scaling both N-metal–oxide–semiconductor (MOS) and P-metal–oxide–semiconductor MOS transistors to a gate length of 30 nm. We describe lithography and pattern transfer results that are suitable to meet this goal. Scanning capacitance microscopy is used to determine the …
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R.R.A. Syms, Andrew S. Holmes, Weijia Huang, Vitor Marino Schneider et autres
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Jacques Lewandowski, R.R.A. Syms, Steve Madden, M. Green
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Denis Barbier, M. Green, Steve Madden
The electron beam process is used to make a variety of optical waveguides in silica. The process uses beam energies in the vicinity of 25 keV to make monomode through to three-moded slab waveguides from 2 to 7- mu m deep with …
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