Projection-patterned etching of silicon in chlorine atmosphere with a KrF excimer laser
2Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
1Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : gb. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Projection-patterned etching of silicon in chlorine atmosphere with a KrF excimer laser
- Date Crossref
- 01/12/1995
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Imperial College London pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Imperial College for Science and Technology Department of Electrical Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Imperial College London et Department of Electrical Engineering — Imperial College for Science and Technology.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Laser Material Processing TechniquesSurface Roughness and Optical MeasurementsLaser-induced spectroscopy and plasma