Annealing ambient engineering for tuning forward conduction and reverse blocking in Ni/(Al0.4Ga0.6)2O3/4H-SiC heterojunction diodes
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Annealing ambient engineering for tuning forward conduction and reverse blocking in Ni/(Al0.4Ga0.6)2O3/4H-SiC heterojunction diodes
- Date Crossref
- 01/09/2026
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Kwangwoon University Department of Electronic Materials Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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National Taiwan University Department of Engineering Science and Ocean Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Electronic Materials Engineering — Kwangwoon University et Department of Engineering Science and Ocean Engineering — National Taiwan University.
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