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2026 conference-paper

Backside Contact Resistivity Reduction for Nanosheet Technologies Beyond 2nm by Backside Nanosecond Laser Anneal Without Impacting the Frontside Cu BEOL

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2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Backside Contact Resistivity Reduction for Nanosheet Technologies Beyond 2nm by Backside Nanosecond Laser Anneal Without Impacting the Frontside Cu BEOL
Date Crossref
14/06/2026
Éditeur
IEEE
Type
proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Albany Molecular Research (United States) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • Samsung (United States) pays non établi dans la notice
    Entreprise
  • IBM Research pays non établi dans la notice
    Institution
  • Samsung Electronics pays non établi dans la notice
    Institution

Albany Molecular Research (United States), Samsung (United States) et IBM Research, avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Laser Material Processing TechniquesSemiconductor materials and interfacesCopper Interconnects and Reliability

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