Backside Contact Resistivity Reduction for Nanosheet Technologies Beyond 2nm by Backside Nanosecond Laser Anneal Without Impacting the Frontside Cu BEOL
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- Titre Crossref
- Backside Contact Resistivity Reduction for Nanosheet Technologies Beyond 2nm by Backside Nanosecond Laser Anneal Without Impacting the Frontside Cu BEOL
- Date Crossref
- 14/06/2026
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Albany Molecular Research (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Samsung (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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IBM Research pays non établi dans la noticeInstitution
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Samsung Electronics pays non établi dans la noticeInstitution
Albany Molecular Research (United States), Samsung (United States) et IBM Research, avec 1 autre affiliation.
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