Unraveling the Electronic Structure of Silicon Vacancy Centers in 4H‐SiC
Rattachement africain : de, no, se, jp, hu, lt. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
ABSTRACT Point defects in silicon carbide (SiC), particularly the negatively‐charged silicon vacancy () in 4H‐SiC, are leading candidates for scalable quantum technologies due to their favorable spin–optical properties and compatibility with industrial semiconductor fabrication processes. Comprehensive knowledge of a defect's electronic structure is essential for interpreting spin–optical dynamics and for the reliable design and optimization of defect‐based quantum devices. Despite extensive study, our knowledge of the electronic structure of is limited since key excited‐state manifolds have remained inaccessible to conventional steady‐state spectroscopy. In this study, transient absorption spectroscopy is utilized to probe non‐equilibrium electronic transitions of and to uncover previously unobserved excited states. The first direct observation of the elusive quartet transition is presented, with its broad spectral signature attributed to nonadiabatic vibronic coupling. Within the spin‐doublet manifold, which is central to optically detected magnetic resonance (ODMR) but has remained unresolved spectroscopically, multiple optical transitions are identified. The complete electronic level structure in the relevant energy range is elucidated by combining polarization‐resolved spectroscopy, group‐theoretical analysis, quantum embedding calculations, and first‐principles optical lineshape modeling. Collectively, these results provide a microscopic understanding of the electronic structure. Our approach also establishes a general framework for resolving and understanding complex excited‐state manifolds in wide‐bandgap color centers.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Unraveling the Electronic Structure of Silicon Vacancy Centers in 4H‐SiC
- Date Crossref
- 26/06/2026
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Max Planck Institute for Polymer Research pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of Oslo pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Linköping University Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Tohoku Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Tohoku University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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National Institutes for Quantum Science and Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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HUN-REN Wigner Research Centre for Physics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Center for Physical Sciences and Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Max‐Planck Institut für Polymerforschung Mainz Germany pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Wigner Research Centre for Physics Hungarian Academy of Sciences Budapest Hungary pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Max Planck Institute for Polymer Research, University of Oslo et Department of Physics — Linköping University, avec 7 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.