Natural van der Waals silicates as hosts for telecom quan- tum emitters: the case of erbium-doped talc
Gellért Dolecsek, Zsolt Benedek, Nguyen Tien Son, Viktor Ivády
hu, se (code pays fourni par la source)
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Research Square
Nguyen Tien Son
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ABSTRACT Point defects in silicon carbide (SiC), particularly the negatively‐charged silicon vacancy () in 4H‐SiC, are leading candidates for scalable quantum technologies due to their favorable spin–optical properties and compatibility with industrial semiconductor fabrication processes. Comprehensive knowledge of a defect's electronic structure …
de, no, se, jp, hu, lt (code pays fourni par la source)
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Advanced Functional Materials
Thermal performance of a compact cryostat with an in-vacuum objective for color center spin-photon interfaces in silicon carbide
Seung-Jae Hwang, Jun-Jae Choi, Seoyoung Paik, Jawad Ul-Hassan et autres
kr, se, jp (code pays fourni par la source)
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Current Applied Physics
Coherent Electrical Readout of Spin-Active Defects in 4H-SiC for Quantum Sensors using Photo-Ionization at Ambient Conditions
Matthias Niethammer, Matthias Widmann, Torsten Rendler, Naoya Morioka et autres
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