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2026 article

Parallel gap resistance soldering based on epitaxial growth: A strategy for achieving intermetallic-free and damage-free micro-joining

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Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Parallel gap resistance soldering based on epitaxial growth: A strategy for achieving intermetallic-free and damage-free micro-joining
Date Crossref
01/06/2026
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Shanghai Jiao Tong University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Materials Science and Engineering Shanghai Key Laboratory of Materials Laser Processing and Modification pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Shanghai Institute of Space Power Sources pays non établi dans la notice
    Structure de recherche

Shanghai Jiao Tong University, Shanghai Key Laboratory of Materials Laser Processing and Modification — School of Materials Science and Engineering et Shanghai Institute of Space Power Sources.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

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