Atomic-scale origin of rotated epitaxy and its impact on spin-electronic properties at Co2FeSi0.5Al0.5/Ge interface
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6Institutions déclarées
3Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : gb, al, jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Atomic-scale origin of rotated epitaxy and its impact on spin-electronic properties at Co2FeSi0.5Al0.5/Ge interface
- Date Crossref
- 01/08/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
University of YorkMother Teresa HospitalSci-Tech DaresburySpintronics Research Network of JapanThe University of OsakaScience City York (United Kingdom)
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
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