A 2Tb 4b/Cell 6-Plane 3D-Flash Memory with 37.6Gb/mm 2 Bit Density and >85MB/s Write Throughput
Rattachement africain : in, jp, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A 332-WL-layer stacked 2Tb 4b/Cell 6-plane 3D Flash memory achieves an areal density of$37.6 \text{Gb} / \text{mm}^{2}$. An 8 kB -physical and 16 kB -logical page architecture realizes a$<65 \mu \mathrm{s}$read latency and a$>85 \text{MB} / \mathrm{s}$program throughput. Write throughput is enhanced by 4.2% through voltage-level sensing based on SEN2-LBUS coupling, and an additional 8% by reduced verify operations using 4 check points. A fast SLC burst programming technique reduces program time by$\sim 11 {\%}$.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- A 2Tb 4b/Cell 6-Plane 3D-Flash Memory with 37.6Gb/mm <sup>2</sup> Bit Density and >85MB/s Write Throughput
- Date Crossref
- 15/02/2026
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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