Long-term reliability of naturally aged hafnium oxide ferroelectric transistors for energy-efficient embedded memory
Rattachement africain : tw, in, de, fi, it. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Ferroelectric field-effect transistors (FeFETs) based on hafnium oxide remain promising for embedded non-volatile memory, yet their long-term stability under realistic storage conditions is not well understood. Here, we examine silicon-doped hafnium oxide FeFETs that have undergone more than 5 years of natural aging in both ambient and cleanroom environments, without any electrical stress. The aged devices show a reduction in the memory window from 1.2 to 0.45 V after 10 4 program/erase cycles, consistent with the buildup of interface and oxide traps. Even so, they retain endurance above 10 4 cycles at 85°C and exhibit extrapolated retention exceeding 10 years at 55°C. Temperature-dependent charge-pumping measurements point to trap-assisted mechanisms as the dominant source of degradation, while waveform engineering with slower rise and fall times suppresses trap activation and stabilizes cycling behavior. These findings show that naturally aged FeFETs can meet key embedded-memory reliability targets and offer a practical route toward long-lived, energy-efficient memory technology.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Long-term reliability of naturally aged hafnium oxide ferroelectric transistors for energy-efficient embedded memory
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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National Tsing Hua University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Indian Institute of Technology Madras pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Center Nanoelectronic Technologies pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Tampere University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Modena and Reggio Emilia Dipartimento di Scienze e Metodi dell’Ingegneria pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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College of Semiconductor Research pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Department of Electrical Engineering pays non établi dans la noticeInstitution
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Faculty of Information Technology and Communication Sciences pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
National Tsing Hua University, Indian Institute of Technology Madras et Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, avec 6 autres affiliations.
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