Trapping Dynamics and Endurance in HfO 2 -FeFETs: An Insight From Charge Pumping
Rattachement africain : in, tw, de, it. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We investigate endurance degradation in hafnium oxide (HfO₂)-based ferroelectric field effect transistors (FeFETs) by analyzing interface (Nit) and near-interface oxide traps (Nox) using a two-level charge pumping (CP) technique. After 10⁴ program (PG) / erase (ER) cycles at ±5 V, 100 ns,Nitincreases by ~2×, and the memory window (MW) reduces from 1.2 V to 0.45 V. Temperature-dependent measurements reveal accelerated trap generation above 50 °C, with decreasing charge-pumping current (ICPmax) due to deeper oxide trap occupation. Pulse parameter tuning shows that longer rise/fall times, and shorter hold durations mitigateNitaccumulation and delay memory window collapse. The extracted average interface trap density (Dit) reaches ~4×10¹² cm⁻²eV⁻¹ after cycling. These results emphasize the role of trap engineering in improving FeFET endurance for scaled non-volatile memory applications.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Trapping Dynamics and Endurance in HfO <sub>2</sub> -FeFETs: An Insight From Charge Pumping
- Date Crossref
- 01/11/2025
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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