1.5-kV blocking vertical AgO x /β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with ultralow leakage current and over 1013 rectification ratio
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Abstract High-performance vertical AgO x /β-Ga2O3 Schottky barrier diodes (SBDs) were demonstrated in this work. Ag2O was confirmed as the primary phase in the AgO x films deposited by RF magnetron sputtering at room temperature, using the x-ray photoelectron spectroscopy and x-ray diffraction. The built-in voltage (V bi) was determined to be 2.3 V, corresponding to a Schottky barrier height of 2.41 eV at the AgO x /β-Ga2O3 interface. The vertical AgO x /β-Ga2O3 SBDs achieved an ultralow leakage current of <10−11 A cm−2 with a rectification ratio over 1013 and a low differential specific on-resistance (R ON,sp) of 5 mΩ cm2. A high reverse breakdown voltage (V br) of 1.5 kV was obtained, resulting in a decent power figure of merit (V br 2/R ON,sp) of 0.46 GW cm−2. These results highlight a promising pathway for developing high-performance β-Ga2O3-based power diodes.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- 1.5-kV blocking vertical AgO<i> <sub>x</sub> </i>/<i>β</i>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Schottky barrier diodes with ultralow leakage current and over 10<sup>13</sup> rectification ratio
- Date Crossref
- 09/10/2025
- Éditeur
- IOP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Xidian University Hangzhou Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Zhejiang University of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Microelectronics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Hangzhou Institute of Technology — Xidian University, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics et Zhejiang University of Technology, avec 1 autre affiliation.
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