Low Cost ‘On Pitch Select Gate’ (OPS) Technology for 3D Flash Memory
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Contrary to the general perception of 3D flash memory technology nodes being defined by the vertical stacking of word line layers, we, for the first time, present an unconventional approach employed in the mass production of BiCS FLASH™ generation 8 3D flash technology for achieving ~20% increase in bit density primarily with the help of the novel "on pitch select gate" (OPS) technology. This technology relies on cutting several functional select gate drain (SGD) transistors into semi-circular (SC) shapes to achieve lateral scaling. We also discuss some of the major engineering challenges encountered while realizing OPS, and the countermeasures employed to make OPS technology a reality, thereby creating a new path for the future of 3D flash memory industry.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Low Cost ‘On Pitch Select Gate’ (OPS) Technology for 3D Flash Memory
- Date Crossref
- 18/05/2025
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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KIOXIA Corporation (Japan) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Inc. Technology Development Engineering Sandisk Technologies pays non établi dans la noticeEntreprise
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Sandisk Technologies GK pays non établi dans la noticeInstitution
KIOXIA Corporation (Japan), Technology Development Engineering Sandisk Technologies — Inc. et Sandisk Technologies GK.
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