Degradation Behavior and Mechanism of SONOS FLASH by Total Ionization Dose Effects
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
In this paper, the 2T SONOS FLASH is designed and fabricated based on 180 nm embedded FLASH process which includes one MOSFET and one SONOS FLASH transistor. The FLASH transistors are programmed and erased by band-to-band tunneling-induced hot electron and Fowler-Nordheim to realize different levels, and the mechanisms of the electrical degradation caused by radiation are investigated by the mid-gap technique. In order to clarify the degradation mechanism from the physical level, the first principle calculations are performed from the atomic and electronic term. The electric fields and the external environment are proved to play a crucial role in the charge loss. The higher electric fields can exacerbate the formation of the oxide charge, and the anti-radiation hardness can be achieved with oxygen-rich environment. The external field can efficiently change the electronic properties of$\alpha $-SiO2 with oxygen vacancy and hydrogen. This study provides a novel perspective of electrical degradations on the SONOS FLASH unit in different levels from both the experiments and theoretical simulations, which can be helpful for the design of advanced computational chips in space.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Degradation Behavior and Mechanism of SONOS FLASH by Total Ionization Dose Effects
- Date Crossref
- 01/03/2025
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
China Electronics Technology Group Corporation pays non établi dans la noticeEntreprise
-
Harbin Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Advanced Integrated Circuit Design Center pays non établi dans la noticeInstitution
-
Wuxi pays non établi dans la noticeInstitution
-
National Key Laboratory of Materials Behavior and Evaluation Technology in Space Environment and the School of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
National Key Laboratory of Materials Behavior and Evaluation Technology in Space Environment and School of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
China Electronics Technology Group Corporation, Harbin Institute of Technology et Advanced Integrated Circuit Design Center, avec 3 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.