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Optoelectronic properties of GaP:Ti photovoltaic devices

Javier Olea, J. Gonzalo, Jan Siegel, Alejandro F. Braña, Guillermo Godoy‐Pérez, Rafel Benítez-Fernández, D. Caudevilla, S. Algaidy, F. Pérez-Zenteno, S. Duarte-Cano, 'Alvaro del Prado, E. García-Hemme, R. García-Hernansanz, David Pastor, Ignacio Martil

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Le résumé fourni par la source

Supersaturated GaP is of interest for the photovoltaic field since optical transitions at energies below the bandgap (2.26 eV) could enhance the overall device efficiency up to theoretically 60%. We have previously demonstrated that Ti supersaturated GaP can be obtained by means of ion implantation and pulsed-laser melting with high structural quality and measured its below-bandgap photoconductivity. In this work we report the first results of a GaP:Ti based photovoltaic device. We have fabricated and measured photovoltaic devices with a GaP:Ti absorber layer showing enhanced external quantum efficiency at wavelengths above 550 nm. Also, we have measured the absorption coefficient (around 10 4 cm −1 ) and refractive index of this absorber layer. Finally, current-voltage curves in darkness were measured and analyzed using a two-diodes model, showing improvable characteristics. Ideas to enhance the properties of the devices are suggested.

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Le contrôle bibliographique ouvert

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Titre Crossref
Optoelectronic properties of GaP:Ti photovoltaic devices
Date Crossref
01/12/2024
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

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  • Instituto de Óptica "Daza de Valdés" Laser Processing Group pays non établi dans la notice
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  • Universidad Autónoma de Madrid pays non établi dans la notice
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  • Dpto. de EMFTEL pays non établi dans la notice
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  • Grupo de Electrónica y Semiconductores pays non établi dans la notice
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  • Dpto. de Ingeniería Eléctrica pays non établi dans la notice
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Universidad Complutense de Madrid, Laser Processing Group — Instituto de Óptica "Daza de Valdés" et Universidad Autónoma de Madrid, avec 3 autres affiliations.

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