Relation of V/III ratio of AlN interlayer with the polarity of nitride
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Abstract N-polar GaN film was obtained by using a high-temperature AlN buffer layer. It was found that the polarity could be inverted by a thin low-temperature AlN interlayer with the same V/III ratio as that of the high-temperature AlN layer. Continuing to increase the V/III ratio of the low-temperature AlN interlayer, the Ga-polarity of GaN film was inverted to N-polarity again but the crystal quality and surface roughness of GaN film greatly deteriorated. Finally, we analyzed the chemical environment of the AlN layer by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), which provides a new direction for the control of GaN polarity.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Relation of V/III ratio of AlN interlayer with the polarity of nitride
- Date Crossref
- 01/10/2024
- Éditeur
- IOP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Institute of Physics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Science and Technology Beijing pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Yangtze River Delta Physics Research Center (China) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Songshan Lake Materials Laboratory pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Key Laboratory for Renewable Energy pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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School of Mathematics and Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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The Yangtze River Delta Physics Research Center pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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