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Yangfeng 阳锋 Li 李

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GaN-based semiconductor devices and materialsPlasma Diagnostics and ApplicationsAcoustic Wave Resonator Technologies

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2024 article OpenAlex

Relation of V/III ratio of AlN interlayer with the polarity of nitride

Zhaole 兆乐 Su 苏, Yangfeng 阳锋 Li 李, Xiaotao 小涛 Hu 胡, Yimeng 祎萌 Song 宋 et autres

Abstract N-polar GaN film was obtained by using a high-temperature AlN buffer layer. It was found that the polarity could be inverted by a thin low-temperature AlN interlayer with the same V/III ratio as that of the high-temperature AlN layer. Continuing to …

cn (code pays fourni par la source)

1 citation Chinese Physics B

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