Degradation Induced by Total Ionizing Dose and Hot Carrier Injection in SOI FinFET Devices
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The working environment of electronic devices in the aerospace field is harsh. In order to ensure the reliable application of the SOI FinFET, the total ionizing dose (TID) and hot carrier injecting (HCI) reliability of an SOI FinFET were investigated in this study. First, the influence of TID on the device was simulated. The results show that TID causes the threshold voltage to decrease and the off-state current and subthreshold swing to increase. TID causes more damage to the device at high temperature and also reduces the saturation drain current of the device. HCI causes the device threshold voltage to increase and the saturation drain current to decrease. The HCI is more severe at high temperatures. Finally, the coupling effects of the two were simulated, and the results show that the two effects cancel each other out, and the degradation of various electrical characteristic parameters is different under different coupling modes.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Degradation Induced by Total Ionizing Dose and Hot Carrier Injection in SOI FinFET Devices
- Date Crossref
- 11/08/2024
- Éditeur
- MDPI AG
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Xidian University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
China Electronic Product Reliability and Environmental Test Institute pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
School of Microelectronics Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education Ministry pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Science and Technology on Reliability Physics and Application Technology of Electronic Component Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Xidian University, China Electronic Product Reliability and Environmental Test Institute et Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education Ministry — School of Microelectronics, avec 1 autre affiliation.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.