Interface Layers for High-k/Ge Gate Stacks: Are They Necessary?
Rattachement africain : us, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Abstract not Available.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Interface Layers for High-k/Ge Gate Stacks: Are They Necessary?
- Date Crossref
- 30/06/2006
- Éditeur
- The Electrochemical Society
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Stanford University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Sungkyunkwan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Stanford University et Sungkyunkwan University.
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