2021 conference-paper

28nm CIS-Compatible Embedded STT-MRAM for Frame Buffer Memory

Kyoobin Lee, D. S. Kim, Jeonghwan Bak, Soomin Ko, W. C. Lim, Hee-Won Shin, J. H. Lee, J.H. Park, J. H. Jeong, J. M. Lee, T. Kai, H. Sato, Jeong‐Whan Lee, Kyungho Ryu, Yeonji Kim, S. H. Han, B. Y. Seo, Kang-Deog Suh, H. H. Kim, Hyuntaek Jung, D. H. Jang, Jinjie Ji, M. J. Eom, I. H. Kim, Kihyun Hwang, Y. J. Song, H. S. Kim

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Le résumé fourni par la source

We demonstrate embedded STT-MRAM fully integrated onto 28nm CIS logic platform, highlighting the world-best macro density of 13.94 Mb/mm2. The macro provides 55% area saving over 28nm SRAM. The MTJ processes are compatible with standard 3D-stacked CIS integration processes that require sufficient 400°C heat budget. The MTJ stack has also been improved for frame buffer applications, achieving write speed1E10 cycles. Furthermore, we have confirmed scalability of the CIS-compatible MTJ processes beyond 28nm. With advanced MTJ patterning processes, we have verified that MTJ short failure rate can be suppressed below 1ppm even at a 40% smaller pitch as compared to the current MTJ pitch at 28nm. This result reveals that our frame-buffer STT-MRAM technology is scalable to 14nm FinFET node.

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: 28nm CIS-Compatible Embedded STT-MRAM for Frame Buffer Memory
Date Crossref: 11/12/2021
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

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