Processing and Characterization of III–V Compound Semiconductor MOSFETs Using Atomic Layer Deposited Gate Dielectrics
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Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Processing and Characterization of III–V Compound Semiconductor MOSFETs Using Atomic Layer Deposited Gate Dielectrics
- Date Crossref
- 31/12/2007
- Éditeur
- Springer Berlin Heidelberg
- Type
- book-chapter
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Purdue University West Lafayette pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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ASM International pays non établi dans la noticeInstitution
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IBM (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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ASM America pays non établi dans la noticeInstitution
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T.J. Watson Research Center IBM Semiconductor Research and Development Center (SRDC) pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Purdue University West Lafayette, ASM International et IBM (United States), avec 3 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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