Improved Light Output of AlGaInP-Based Micro-Light Emitting Diode Using Distributed Bragg Reflector
Rattachement africain : kr, jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
We investigated how the performance and reliability of AlGaInP-based red (620 nm) micro-light-emitting diodes (micro-LEDs) (25 × 17 μm2) were influenced by the use of n-AlInP ohmic layer and distributed Bragg reflector (DBR). The AlGaAs-based DBR showed reflectivity of 94.9% at 622 nm with a 14 nm-stopband width. The micro-LEDs with n-GaAs gave slightly lower forward voltages by 0.013 - 0.021 V than those with n-Al0.5In0.5P/n-Al0.6Ga0.4As and n-Al0.5In0.5P/DBR. However, the micro-LEDs with n-Al0.5In0.5P/n-Al0.6Ga0.4As and n-Al0.5In0.5P/DBR gave 61% and 125% higher light output power at 20 μA compared with that with n-GaAs. It was shown that after annealing at 120 °C for 2,000 h, the forward voltage and the light output power at 4.7 A/cm2 of the micro-LEDs with n-Al0.5In0.5P/DBR were degraded by 0.09% and 6.33%, respectively, with reference to those before annealing.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Improved Light Output of AlGaInP-Based Micro-Light Emitting Diode Using Distributed Bragg Reflector
- Date Crossref
- 01/04/2020
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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