A mobility enhancement strategy for sub-14nm power-efficient FDSOI technologies
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Le résumé fourni par la source
Continuous CMOS improvement has been achieved in recent years through strain engineering for mobility enhancement. Nevertheless, as transistor pitch is scaled down, conventional strain elements (as embedded stressors, stress liners) are loosing their effectiveness [1]. The use of strained materials for the channel to boost performance is thus essential. In this paper, we present an original multilevel evaluation methodology for stress engineering design in next-generation power-efficient devices. Fully-Depleted-Silicon-On-Insulator (FDSOI) is chosen as the ideal test vehicle, as it offers the advantage of sustaining significant stress within the channel without plastic relaxation (the thin channel staying below the critical thickness [2]). Starting from 3D mechanical simulations and piezoresistive coefficient data, an original, simple, physically-based model for holes/electrons mobility enhancement in strained devices is developed. The model is calibrated on physical measurements and electrical data of state-of-the-art devices. Non-Equilibrium Greens Function (NEGF) quantum simulations of holes/electrons stress-enhanced mobility give physical insights into mobility behavior at large stress (~3GPa). Finally, the new strained-enhanced mobility model is introduced in an industrial compact model [3] to project evaluation at the circuit level.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A mobility enhancement strategy for sub-14nm power-efficient FDSOI technologies
- Date Crossref
- 01/12/2014
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information pays non établi dans la noticeOrganisme public
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STMicroelectronics (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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STMicroelectronics (Czechia) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Institut polytechnique de Grenoble pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Los Angeles Harbor College pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Institut de Microélectronique pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Centre de Radiofréquences pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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CEA Grenoble pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Université Grenoble Alpes pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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STMicroelectronics (Switzerland) pays non établi dans la noticeEntreprise
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STMicroelectronics (France) pays non établi dans la noticeEntreprise
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information et STMicroelectronics (United States), avec 9 autres affiliations.
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