2014 conference-paper

10nm FINFET technology for low power and high performance applications

Dechao Guo, Huiling Shang, Keehong Seo, Bala Haran, Theodorus E. Standaert, Divya Gupta, Emre Alptekin, Dong-il Bae, G.J. Bae, Daniel Chanemougame, Kangguo Cheng, J. Cho, Bassem Hamieh, Jaemin Hong, Terence B. Hook, Jaehoon Jung, R. Kambhampati, Byeong Seon Kim, H. Kim, Kyu Hong Kim, Taekyung Kim, D. Liu, H. Mallela, Pietro Montanini, M. Mottura, S.M. Nam, Kang Min Ok, Young-Shin Park, Ajoy Paul, Chris Prindle, Rahul Ramachandran, Vinayak Sardesai, A. Scholze, Soon‐Cheon Seo, Richard G. Southwick, Jay W. Strane, Xiao Ning Sun, Gen Tsutsui, Neeraj Tripathi, Reinaldo A. Vega, M. Weybright, Ruijie Xie, Chun-Chen Yeh, H. Bu, Sean D. Burns, D. Canaperi, M. Celik, Matthew E. Colburn, Harirajkumar Jagannathan, S. Kanakasabaphthy, Walter Kleemeier, Lars W. Liebmann, D. McHerron, Philip J. Oldiges, Vamsi K. Paruchuri, Terry A. Spooner, James H. Stathis, Rama Divakaruni, T. R. Gow, John A. Iacoponi, J. Jenq, R. Sampson, Wonyoung Yang, Mukesh V. Khare

10Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

4Institutions déclarées

4Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : tr, kr, cz, de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

In this paper, we present a 10nm CMOS platform technology for low power and high performance applications with the tightest contacted poly pitch (CPP) of 64nm and metallization pitch of 48nm ever reported in the FinFET technology on both bulk and SOI substrates. A 0.053um2SRAM bit-cell is reported with a corresponding Static Noise Margin (SNM) of 140mV at 0.75V. Intensive multi-patterning technology and various self-aligned processes have been developed with 193i lithography to overcome optical patterning limits. Multi-workfunction (MWF) gate stack has been enabled to provide Vt tunability without the variability degradation induced by Random Dopant Fluctuation (RDF) from channel dopants.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: 10nm FINFET technology for low power and high performance applications
Date Crossref: 01/10/2014
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

Software Research and Development Consulting pays non établi dans la notice
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Samsung (South Korea) pays non établi dans la notice
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Samsung Electronics pays non établi dans la notice
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