2014 conference-paper

FDSOI CMOS devices featuring dual strained channel and thin BOX extendable to the 10nm node

Q. Liu, Barbara DeSalvo, Pierre Morin, N. Loubet, Sonia Pilorget, Fadoua Chafik, S. Maı̂trejean, E. Augendre, Daniel Chanemougame, S. Guillaumet, Hiten M. Kothari, F. Allibert, Benoit Lherron, B. Liu, Yann Escarabajal, Kangguo Cheng, James Kuss, M. Wang, Ranju Jung, S. Teehan, T. M. Levin, Muthumanickam Sankarapandian, Rob Johnson, Joël Kanyandekwe, H. Y. He, R. Venigalla, Tomohiro YAMASHITA, B. Haran, L. Grenouillet, M. Vinet, O. Weber, E. Josse, Michel Haond, J.-L. Bataillon, Walter Kleemeier, T. Skotnicki, Mukesh V. Khare, Olivier Faynot, Bruce B. Doris, M. Celik, R. Sampson

29Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

7Institutions déclarées

4Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us, cz, fr, ch. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

We report FDSOI devices with a 20nm gate length (LG) and 5nm spacer, featuring a 20% tensile strained Silicon-on-Insulator (sSOI) channel NFET and 35% [Ge] partially compressive strained SiGe-on-Insulator (SGOI) channel PFET. This work represents the first demonstration of strain reversal of sSOI by SiGe in short channel devices. At Vddof 0.75V, competitive effective current (Ieff) reaches 550/340 µA/µm for NFET, at Ioffof 100/1 nA/µm, respectively. With a fully strained 30% SGOI channel on thin BOX (20nm) substrate and Vddof 0.75V, PFET Ieffreaches 495/260 µA/µm, at Ioffof 100/1 nA/µm, respectively. Competitive sub-threshold slope and DIBL are reported. With the demonstrated advanced strain techniques and short channel performance, FDSOI devices can be extended for both high performance and low power applications to the 10nm node.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: FDSOI CMOS devices featuring dual strained channel and thin BOX extendable to the 10nm node
Date Crossref: 01/12/2014
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

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