2013 conference-paper

High performance UTBB FDSOI devices featuring 20nm gate length for 14nm node and beyond

Qianlong Liu, M. Vinet, J. Gimbert, N. Loubet, R. Wacquez, L. Grenouillet, Y. Le Tiec, Ali Khakifirooz, Toshiharu Nagumo, Kangguo Cheng, Hiten M. Kothari, Daniel Chanemougame, Fadoua Chafik, S. Guillaumet, James Kuss, F. Allibert, Gen Tsutsui, J. Li, Pierre Morin, S. Mehta, Rob Johnson, L. F. Edge, Shom S. Ponoth, T. M. Levin, Siva Kanakasabapathy, B. Haran, H. Bu, J.-L. Bataillon, O. Weber, Olivier Faynot, E. Josse, Michel Haond, Walter Kleemeier, Mukesh V. Khare, T. Skotnicki, Scott Luning, Bruce B. Doris, M. Celik, R. Sampson

96Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

9Institutions déclarées

2Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : us, fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

We report, for the first time, high performance Ultra-thin Body and Box (UTBB) FDSOI devices with a gate length (LG) of 20nm and BOX thickness (TBOX) of 25nm, featuring dual channel FETs (Si channel NFET and compressively strained SiGe channel PFET). Competitive effective current (Ieff) reaches 630μA/μm and 670μA/μm for NFET and PFET, respectively, at off current (Ioff) of 100nA/μm and Vddof 0.9V. Excellent electrostatics is obtained, demonstrating the scalability of these devices to14nm and beyond. Very low AVt(1.3mV·μm) of channel SiGe (cSiGe) PFET devices is reported for the first time. BTI was improved >20% vs a comparable bulk device and evidence of continued scalability beyond 14nm is provided.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: High performance UTBB FDSOI devices featuring 20nm gate length for 14nm node and beyond
Date Crossref: 01/12/2013
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

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