A novel low-temperature (Ba,Sr)TiO3 (BST) process with barrier for Gbit DRAM applications
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- Titre Crossref
- A novel low-temperature (Ba,Sr)TiO3 (BST) process with barrier for Gbit DRAM applications
- Date Crossref
- 01/09/1999
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Infineon Technologies (Germany) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Infineon Technologies AG pays non établi dans la noticeInstitution
Infineon Technologies (Germany) et Infineon Technologies AG.
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