2011 article

A 151-mm$^{2}$ 64-Gb 2 Bit/Cell NAND Flash Memory in 24-nm CMOS Technology

Koichi Fukuda, Yoshihisa Watanabe, Eiichi Makino, Koichi Kawakami, Jumpei Sato, Teruo Takagiwa, Naoaki Kanagawa, Hitoshi Shiga, Naoya Tokiwa, Yoshihiko Shindo, Takeshi Ogawa, Edahiro Toshiaki, Makoto Iwai, Osamu Nagao, Junji Musha, Takatoshi Minamoto, Yuka Furuta, Kosuke Yanagidaira, Yuya Suzuki, Dai NAKAMURA, Yoshikazu Hosomura, Rieko Tanaka, Hiromitsu Komai, Mai Muramoto, Go Shikata, Ayako Yuminaka, Kiyofumi Sakurai, Manabu Sakai, Hong Ding, Mitsuyuki Watanabe, Yosuke Kato, Toru Miwa, Alexander Mak, M. Nakamichi, Gertjan Hemink, Dana Lee, Masaaki Higashitani, Brian J. Murphy, Bo Lei, Yasuhiko Matsunaga, Kiyomi Naruke, Takahiko Hara

9Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

2Institutions déclarées

1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

A 64-Gb MLC (2 bit/cell) NAND flash memory with the highest memory density to date as an MLC flash memory, has been successfully developed. To decrease the chip size, 2-physical-plane configuration with 16 KB wordline-length, a new bit-line hook-up architecture, and a top-metal-congestion-free optimized peripheral circuit floor plan, are introduced. As a result, 151 mm2die size with an excellent 79% cell area efficiency is achieved. Newly introduced precharge detect algorithm and smart precharge algorithm improve program throughput by 10%. 14 MB/s program throughput is obtained, which is comparable or even higher performance than NAND flash memories reported in the previous 30 nm technology generation. The proposed smart precharge algorithm reduces program operation current by 6%, and 25 mA operation current with 16 KB programming is achieved. Moreover, a high-speed asynchronous DDR interface is incorporated and 266 MB/s data transfer is achieved.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: A 151-mm$^{2}$ 64-Gb 2 Bit/Cell NAND Flash Memory in 24-nm CMOS Technology
Date Crossref: 01/01/2012
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Type: journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

Toshiba (Japan) pays non établi dans la notice
Entreprise
Sanden (Japan) pays non établi dans la notice
Entreprise
Toshiba Corporation pays non établi dans la notice
Institution
Toshiba Memory Systems Corporation pays non établi dans la notice
Institution
SanDisk Corporation pays non établi dans la notice
Institution

Toshiba (Japan), Sanden (Japan) et Toshiba Corporation, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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