2003 article

The interface of epitaxial SrTiO3 on silicon: in situ and ex situ studies

Xiaoming Hu, Hua Li, Yong Li Liang, Yungeng Wei, Zhiyi Yu, D. S. Marshall, J. L. Edwards, Ravi Droopad, X. Zhang, Alexander A. Demkov, Karen E. B. Moore, J. Kulik

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The formation of interfacial layers between silicon and the overgrown epitaxial SrTiO3 as a function of the growth temperature has been studied in detail using x-ray photoelectron spectroscopy and high-resolution transmission electron microscopy. Models for the chemical compositions and atomic bonding states have been established. With a good understanding of the mechanisms of the interfacial layer formations, the molecular-beam epitaxy growth process can be well controlled to form high-quality, single-crystalline oxide films, as well as a desired interface between the grown oxide and silicon substrate. The epitaxial relationship has been found to be SrTiO3 (001)∥Si(001), and SrTiO3 〈100〉∥Si〈110〉.

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Titre Crossref: The interface of epitaxial SrTiO3 on silicon: <i>in situ</i> and <i>ex situ</i> studies
Date Crossref: 13/01/2003
Éditeur: AIP Publishing
Type: journal-article

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