Ultra-low power and high speed SRAM for mobile applications using single Poly-Si gate 90 nm CMOS technology
Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
High speed and ultra-low power SRAM using single gate CMOS technology was developed. The drive currents of NMOSFET and PMOSFET were 410 /spl mu/A//spl mu/m and 205 /spl mu/A//spl mu/m, respectively. The random access time of 17 ns at 1.65 V operation voltage was achieved for the first time in low power application by the reduction of loading capacitance. Standby current was less than 15 /spl mu/A/chip. The highly manufacturable compact cell of 0.84 /spl mu/m/sup 2/ area was integrated using PR (photo resist) flow technology and novel contact layout.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Ultra-low power and high speed SRAM for mobile applications using single Poly-Si gate 90 nm CMOS technology
- Date Crossref
- 01/01/2003
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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