2004 conference-paper

Fin-Array-FET on bulk silicon for sub-100 nm trench capacitor DRAM

Ryoichi Katsumata, N. Tsuda, J. Idebuchi, Masaki Kondo, Nozomi Aoki, Shoko Ito, Katsunori Yahashi, T. Satonaka, Mutsuo Morikado, Masahiro Kito, M. Kido, Tomoharu Tanaka, H. Aochi, T. Hamamoto

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Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Fin gate array transistor (Fin-Array-FET) fabricated on bulk silicon substrate is applied to the DRAM cell with the deep trench (DT) capacitor. Fin-Array-FET is designed for the 130 nm technology node and beyond by using the 3-D device simulator (HyDeLEOS) and process simulator (HySyProS). It is demonstrated that the on-current of Fin-Array-FET is 62 /spl mu/A/cell that is about 1.7 times as much as conventional planer array FET, keeping the off-current 0.1 fA/cell. It is also demonstrated that Fin-Array-FET on bulk silicon substrate can relieve of the retention degradation because the channel boron doping can be reduced to more than one order compared to the conventional planar array FET.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Fin-Array-FET on bulk silicon for sub-100 nm trench capacitor DRAM
Date Crossref: 01/03/2004
Éditeur: Japan Soc. Applied Phys
Type: proceedings-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

Toshiba (Japan) pays non établi dans la notice
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SoC Research and Development Center and Process and Manufacturing Engineering Center pays non établi dans la notice
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Semiconductor Company TOSHIBA Corporation pays non établi dans la notice
Entreprise
SoC Research & Development Center and Process pays non établi dans la notice
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Toshiba (Japan), SoC Research and Development Center and Process and Manufacturing Engineering Center et TOSHIBA Corporation — Semiconductor Company, avec 1 autre affiliation.

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