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Owen Meilander

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GaN-based semiconductor devices and materialsRadiation Effects in ElectronicsSemiconductor Quantum Structures and DevicesSilicon Carbide Semiconductor Technologies

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Accès ouvert 2026 preprint OpenAlex

Single-Event Leakage Current and Single-Event Burnout in High-Voltage GaN and SiC PiN Diodes: A Comparative Analysis

Grant Mayberry, Xianduo (Jerry) Zhao, Herbert Gingold, Patrick Maloney et autres

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Accès ouvert 2026 article OpenAlex

Influence of Ion LET and Epitaxial Thickness on Single-Event Effects in Homojunction GaN Vertical Diodes

A. S. Senarath, S. Islam, Arijit Sengupta, Owen Meilander et autres

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0 citations IEEE Transactions on Nuclear Science

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