Influence of Ion LET and Epitaxial Thickness on Single-Event Effects in Homojunction GaN Vertical Diodes
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4Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Influence of Ion LET and Epitaxial Thickness on Single-Event Effects in Homojunction GaN Vertical Diodes
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Vanderbilt UniversityUniversity of FloridaUnited States Naval Research LaboratorySandia National Laboratories
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
GaN-based semiconductor devices and materialsRadiation Effects in ElectronicsSemiconductor Quantum Structures and Devices