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Sandra Kozuch

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Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesLaboratoire d'Électronique des Technologies de l'InformationUniversité Grenoble Alpes

Les domaines associés

GaN-based semiconductor devices and materialsPlasma Diagnostics and ApplicationsPhotocathodes and Microchannel Plates

Les publications récentes

2026 article OpenAlex

CH4/H2/Ar etching study of N-polar GaN for micro-LED applications

Sandra Kozuch, Simon Ruel, David Vaufrey, O. Renault

Inductively coupled plasma (ICP) etching of N-polar n-doped gallium nitride (GaN) with a CH4/H2/Ar chemistry was investigated as a function of CH4 ratio in the gas mixture, DC bias voltage, ICP source power, pressure, and total gas flow. Two etching modes are …

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0 citations Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films
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