Enhancing the 400 °C Forming-Gas Annealing Tolerance of Oxide-Semiconductor TFTs via Oxygen Postmetallization Annealing
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- Titre Crossref
- Enhancing the 400 °C Forming-Gas Annealing Tolerance of Oxide-Semiconductor TFTs via Oxygen Postmetallization Annealing
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Duke University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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The University of Texas at Dallas pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Georgia Institute of Technology, Duke University et The University of Texas at Dallas, avec 5 autres affiliations.
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