Two-Step Annealing for Leakage Suppression in β-Ga 2 O 3 MOSFETs: A Low-Frequency Noise Study
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- Two-Step Annealing for Leakage Suppression in β-Ga <sub>2</sub> O <sub>3</sub> MOSFETs: A Low-Frequency Noise Study
- Date Crossref
- 01/07/2026
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Xidian University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Xidian University.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.