2026 article

High-Responsivity ReMoS 2 Photodetector on Gallium Nitride Patterned Substrate for Visible-Light Image Sensing and Communication Applications

Bing Jiang, Jun He, Jiachang Guo, Xue Fan, 陈承灿, Yunfang Wang, Xiaohua Li, Hezhou Liu, Xinke Liu

0Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité

1Institutions déclarées

1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.

Titre Crossref: High-Responsivity ReMoS <sub>2</sub> Photodetector on Gallium Nitride Patterned Substrate for Visible-Light Image Sensing and Communication Applications
Date Crossref: 01/09/2026
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Type: journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

Shenzhen University pays non établi dans la notice
Université ou école supérieure

Shenzhen University.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

2D Materials and ApplicationsGa2O3 and related materialsNanowire Synthesis and Applications

Consulter la publication primaire Ouvrir le DOI