Epitaxial growth of superconducting TiN films by atomic layer deposition
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Epitaxial titanium nitride (TiN) thin films are attractive for electronic and superconducting devices, as their structural perfection critically influences electrical transport and interfacial properties. Although epitaxial TiN is commonly grown by physical vapor deposition (PVD) at elevated temperatures, low-temperature atomic layer deposition (ALD) is more compatible with back-end-of-line (BEOL) integration and conformal coating of high-aspect-ratio structures. Here, we demonstrate wafer-scale epitaxial TiN growth on 2-in. α-Al2O3(0001) substrates by plasma-enhanced ALD at 270 °C. The 25 nm-thick film exhibits a single (111) out-of-plane orientation and a TiN(111) rocking-curve full width at half maximum of 0.037° (133.2 arc sec), indicating high epitaxial quality. Electrical transport measurements show a superconducting transition temperature (Tc) of 2.53 K. X-ray photoelectron spectroscopy suggests that oxygen incorporation during ALD produces TiOxNy-related bonding, which likely contributes to the higher resistivity and reduced Tc compared with sputtered TiN. These results establish a low-temperature, BEOL-compatible route for scalable epitaxial TiN films for superconducting and electronic applications.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Epitaxial growth of superconducting TiN films by atomic layer deposition
- Date Crossref
- 20/07/2026
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Shanghai Jiao Tong University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
-
Ningbo Institute of Industrial Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
University of Science and Technology of China Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Hefei University of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
School of Integrated Circuits (School of Information Science and Electronic Engineering) pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Shanghai Jiao Tong University, Chinese Academy of Sciences et Ningbo Institute of Industrial Technology, avec 4 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.