Paralelización de transistores de GaN en etapas de alta corriente, baja tensión y alta frecuencia
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Le résumé fourni par la source
Este trabajo analiza la paralelización de transistores GaN HEMT (EPC2305). El impacto de las inductancias parásitas sobre el reparto de corriente y el equilibrio térmico se estudia mediante caracterización experimental del comportamiento en conmutación y la distribución térmica, proponiendo criterios de layout para su minimización entre dispositivos paralelos.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Paralelización de transistores de GaN en etapas de alta corriente, baja tensión y alta frecuencia
- Date Crossref
- 17/07/2026
- Éditeur
- Universidad de Zaragoza
- Type
- journal-article
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