Paralelización de transistores de GaN en etapas de alta corriente, baja tensión y alta frecuencia
Carlos Ríos Ferrer, Carlos Bernal Ruiz, Francisco José Pérez Cebolla, Álex Puyal Ventura et autres
Este trabajo analiza la paralelización de transistores GaN HEMT (EPC2305). El impacto de las inductancias parásitas sobre el reparto de corriente y el equilibrio térmico se estudia mediante caracterización experimental del comportamiento en conmutación y la distribución térmica, proponiendo criterios de layout …